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Semiconductor Wafer-Handling
Chuck  

Semiconductor Wafer-Chuck


Waferpositionierung / Rotation

Mit Hilfe der Ultraschalllager-Technologie können Wafer berührungsfrei gegriffen und fixiert werden. Der Wafer schwebt reibungsfrei auf einem tragenden Gasfilm auf einer Höhe von etwa 100 μm. 4 Randanschläge fixieren den Wafer seitlich.

Zum Erzielen hoher Ebenheit (z.B. für Dünnwafer) kann der Chuck mit Vakuumdüsen versehen werden, die den Wafer vorspannen, während der Ultraschallluftfilm den Spalt aufrechterhält.

 

Wirkungsweise des Ultraschalllagers

Unsere Handhabungssysteme auf Basis des Ultraschalllagers können in jeder atmosphärischen Anwendung eingesetzt werden. Das Ultraschalllager erzeugt einen tragenden Film aus verdichtetem Gas (Luft oder Prozessgas) zwischen seiner schwingenden Oberfläche und dem Substrat. Somit wird mechanischer Kontakt vermieden und das Substrat schwebt auf dem Gasfilm über bzw. unter dem Werkzeug.

 
Technische Daten
Elektrische Ausrüstung max. 30 W, 230 / 110 V~ (ultrasound)
Verfügbare Oberflächenmaterialien Eloxiertes Aluminium
Teflonbeschichtetes Aluminium
Quarzglas
Abstand (System-Werkstück) 100 μm
Substratgrößen 100 - 450 mm / 4 - 18
 
Produktvorteile
  • Keine Oberflächenschäden durch berührungsfreie Handhabung
  • Keine Partikelgenerierung und -deposition
  • Kein Einfluss auf die Reinraumumgebung
  • Hohe Ebenheit der Substrate während des Transfers
  • Keine Kantenabdrücke
Applikationen
  • Waferinspektion
  • Waferprozessierung
Highlights
  • Kein mechanischer Kontakt zwischen Werkzeug und Substrat
  • Greifen auf prozessierten / beschichteten Oberflächen
  • Oberseitengreifen (spezielles Design)
Kombinierbare Produkte
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